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Si7326DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.040
1200
1000
0.032
0.024
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
800
600
C iss
0.016
400
C oss
0.008
0.000
200
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 9 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 9 A
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.06
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 9 A
0.03
0.02
0.01
T J = 25 °C
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 74444
S-83051-Rev. C, 29-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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